EL84ppアンプ 電源の設計（４）

（Ⅴ）試作
　ユニバーサル基板を使って試作してみました。Rコアトランスは150VAタイプです。

（Ⅵ）熱設計
　各素子の電力損失は下記の通りになります。シミュレーションと実測の間に大きな違いは無いようです。

　FETの熱計算式と結果を下記に示します。

　電源部全体の回路図を下記に示します。トランス一次側のヒューズには日本製線株式会社のFSL型を使いました。タイムラグ型ヒューズです。Rコアトランスの一次側抵抗値が1.7Aでしたので、2.5Aタイプを使用しました。アンプ部と接続するコネクタには日本航空電子のN/MS型を使用しました。DC700V定格のごついものです。